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　　實驗名稱：在驅動非(fei)載(zai)流子注入(ru)micro-LED上的應用

　　研(yan)究(jiu)方向：半導體器件，光電子器件，micro-LED

　　實驗內容：

　　1、制(zhi)備了一種絕緣層為(wei)氧化(hua)鋁的非載流子注入micro-LED器件；

　　2、采用信(xin)號(hao)發生器產生交流(liu)信(xin)號(hao)，并通過安(an)泰功(gong)率(lv)放(fang)大器放(fang)大輸出，驅(qu)動(dong)非載流(liu)子(zi)注入(ru)(ru)micro-LED。實(shi)現(xian)了非載流(liu)子(zi)注入(ru)(ru)micro-LED的寬電(dian)壓工作窗口。測試目的：采用交流(liu)高頻(pin)高壓電(dian)源驅(qu)動(dong)非載流(liu)子(zi)注入(ru)(ru)micro-LED，并記錄器件的光電(dian)特性(xing)。

　　測試設備：信號(hao)發生器(qi)、Aigtek ATA-61220放大器(qi)、示(shi)波器(qi)、光電倍(bei)增管(guan)

　　實驗過程：采用原子(zi)層沉積(ji)法在(zai)micro-LED上沉積(ji)不同厚度的(de)氧化鋁絕緣(yuan)層以(yi)制(zhi)備非載流子(zi)注(zhu)入(ru)micro-LED，并采用信號發生(sheng)器(qi)+功率放大(da)器(qi)放大(da)輸出具有(you)固定頻率幅度的(de)交流高(gao)壓(ya)(ya)，在(zai)器(qi)件兩端施加由放大(da)器(qi)放大(da)后的(de)電(dian)壓(ya)(ya)以(yi)驅(qu)(qu)動非載流子(zi)注(zhu)入(ru)micro-LED使其產生(sheng)電(dian)致(zhi)發光(guang)。改(gai)變驅(qu)(qu)動電(dian)壓(ya)(ya)、頻率并利用雪崩光(guang)電(dian)倍(bei)增(zeng)管，示波(bo)器(qi)等記錄器(qi)件的(de)光(guang)電(dian)特(te)性。

　　測試結果：展(zhan)示了一種(zhong)提(ti)高Micro-LED亮(liang)(liang)度穩健性(xing)的(de)(de)工作(zuo)模式，驗證(zheng)了交流驅動(dong)Micro-LED在(zai)無載流子注入模式下的(de)(de)電致發光(guang)。通過改(gai)變交流電源的(de)(de)電壓、頻率，優化(hua)介電層的(de)(de)厚(hou)度，實現了Micro-LED器(qi)(qi)件(jian)較寬的(de)(de)工作(zuo)電壓窗(chuang)口，即在(zai)某個電壓范圍內(nei)器(qi)(qi)件(jian)亮(liang)(liang)度基本保持不變。結果表明，在(zai)12MHz頻率驅動(dong)下，器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)電流趨(qu)于飽和，而增(zeng)大電壓只會(hui)增(zeng)加飽和電流的(de)(de)最(zui)大值(zhi)；且具有15nm厚(hou)氧化(hua)鋁(lv)層的(de)(de)器(qi)(qi)件(jian)具有最(zui)大的(de)(de)工作(zuo)電壓窗(chuang)(約12v)以及在(zai)電壓波動(dong)下具有最(zui)強的(de)(de)亮(liang)(liang)度穩健性(xing)。

　　ATA-61220

　　輸出形式：差(cha)分輸出

　　帶(dai)寬（-3dB）：DC~21MHz

　　最大輸出電壓：60Vp-p（±30Vp）500mAp（DC~50Hz）

　　最(zui)大(da)輸出功率：30Wp

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